主题
本章共 11 节,点击下方链接阅读:
4.1 开关应用
4.2 功率半导体器件导论
4.3.1 深入功率二极管:关于"慢"的物理学
4.3.2 讨论:二极管的"身材"管理与选型哲学
4.3.3 建模二极管引起的开关损耗
4.3.4 Boost 变换器实例:把损耗装进模型
4.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET)
4.5 少子型双极型晶体管
4.6 额外的开关损耗源
4.7 核心要点回顾
4.8 习题
参考说明:参考自 geqianQWQ 同学阅读《Fundamentals of Power Electronics》的笔记,仅作理解线索;本系列为结合自己理解重新整理的学习笔记,不涉及对原书的复制或翻译。