Skip to content

3.2 把电感损耗找回来

上一节里,我们构建了一个非常完美的世界。

在那个世界里,电感是完美的储能元件,开关是零电阻的导体,整个变换器像是一个没有摩擦的齿轮箱,输入多少能量就输出多少。这很好,但它是一个谎言。

如果你拿着那个「理想模型」去算实际电路的电压,你会发现算出来的值总是偏高——有时候偏高一点点,有时候偏差大得离谱。为什么会这样?因为能量不会凭空消失,它们只是变成了热量。而我们第一个要找回来的热量,就藏在电感那根铜线里。


第一步——承认电感不是完美的

现实中的电感,并不是教科书里那个光溜溜的线圈符号。它是一捆实实在在的铜线,绕在一个铁芯上。

既然有铜线,就有电阻。既然有电阻,流过电流就会发热。 这就是所谓的「铜损」(Copper Loss)。至于铁芯里的磁滞损耗和涡流损耗,那是后话,现在我们先盯住电阻。

怎么建模?非常简单——在理想电感 L 旁边串联一个电阻 RL

这不仅仅是一个形式上的改动。这个 RL 意味着:当我们对电感两端写电压方程时,必须减去这一部分压降。

现在,把这个稍微没那么理想的电感扔回 Boost 变换器里,电路就成了「电感 + 一根有电阻的铜线」一起接在开关网络里。

多了个电阻,事情变复杂了吗? 并没有。 我们依然沿用那套老办法:电感伏秒平衡、电容电荷平衡,再加上「小纹波近似」。 只不过这一次,所有的方程里都要带上 RL


第二步——像外科手术一样拆解两个状态

为了搞清楚 RL 是怎么搞砸一切的,我们还是得把开关动作拆成两个状态分别看。

状态 1:开关在位置 1(0<t<DTs

这个时候开关闭合,二极管反向截止。 电路变成了左边那副样子:电源 Vg 直接怼在电感 L 和电阻 RL 上。

写方程,注意这里的 vL(t)理想电感两端的电压(不含 RL 的压降):

vL(t)=Vgi(t)RL(3.6)

看清楚了吗?如果不考虑 RL,这就是简单的 Vg。但现在,电感每一瞬间都在对抗这个电阻压降。

再看电容电流 iC(t)。在这个状态下,输出端是断开的(二极管截止),负载 R 完全靠电容 C 放电维持:

iC(t)=v(t)R(3.7)

状态 2:开关在位置 2(DTs<t<Ts

开关断开,电感开始向输出端释放能量。 电路变成了右边那副样子。

此时电感电压变成了电源电压减去电阻压降,再减去输出电压:

vL(t)=Vgi(t)RLv(t)(3.9)

而电容电流此时是电感电流分流过来的一部分,减去负载电阻吃掉的那部分:

iC(t)=i(t)v(t)R(推导形式)

第三步——小纹波近似上线

上面的方程都是时域的,带着 i(t)v(t) 这种瞬态值。算起来太麻烦,而且我们只关心稳态。

祭出我们的小纹波近似i(t) 围绕着直流平均值 I 上下波动,幅度很小。 v(t) 围绕着直流平均值 V 上下波动,幅度也很小。

所以,在计算平均值的时候,我们可以直接把 i(t) 换成 I,把 v(t) 换成 V。这不只是偷懒,这是把问题降维打击。

应用到刚才的方程里:

状态 1 的平均电压:

vL(t)VgIRL

状态 2 的平均电压:

vL(t)VgIRLV

第四步——让伏秒平衡说话

现在,我们来看看电感电压 vL(t) 的波形。 这就不是完美的矩形波了,它整体被 IRL 往下压了一截:状态 1 时是 VgIRL,状态 2 时还要再扣一个 V,整体往下沉。

根据电感伏秒平衡原则:稳态下,电感电压在一个周期内的总积分(直流分量)必须为零。

vL(t)=1Ts0TsvL(t)dt=0

把两个状态的电压代进去:

0=D(VgIRL)+D(VgIRLV)(3.10)

展开,合并同类项。注意这里 D+D=1

0=VgIRLDV(3.11)

停一下。盯着这个公式看(SICP 模式 A)。

还记得上一节我们得到的那个简洁的 Vg=DV 吗?那是理想世界的产物。 现在呢?多了一项 IRL。 这多出来的一项,就是现实世界的代价。

但这里有个麻烦:公式里有三个变量,Vg 已知,但 VI 都是未知的。只有一个方程解不出来。我们还得找另一个方程。


第五步——用输出端守恒来补刀

另一个方程来自电容电荷平衡。 稳态下,电容电流的平均值也必须为零(否则电容电压会一直充上去或者放到底)。

看回 iC(t) 波形。 状态 1 时,电容给负载供电,电流是负的 V/R。 状态 2 时,电感给电容充电(同时供负载),电流是 IV/R

取平均值:

iC(t)=D(VR)+D(IVR)=0(3.12)

整理一下:

0=DIVR(3.13)

这其实就是我们在理想 Boost 里早就熟知的欧姆定律关系:输出电流 Iout 就是 V/R,而它等于 DI。这很合理,物理直觉没变。


第六步——直面那个并不完美的真相

现在我们手上有两个方程:

  1. 0=VgIRLDV (输入端守恒,考虑了损耗)
  2. 0=DIV/R (输出端守恒)

我们要解的是输出电压 V

把第二个方程里的 I 解出来:I=VDR。 把它代入第一个方程:

Vg(VDR)RLDV=0Vg=V(RLDR+D)

到这里,离真相只差最后一步代数变换。为了把 V 露出来,我们把右边的项合并一下(通分):

Vg=VD+RLDR1DD(这一步是为了凑出理想项)

不,更简单的做法是直接提取公因式。让我们重新排列项:

Vg=V(RLDR+D)=V(RL+D2RDR)

解出 V

V=VgDRRL+D2R

把分子分母同除以 D2R

V=Vg1D11+RLD2R

这就是最终的答案:

VVg=1D11+RLD2R(3.14)

真相的代价——看清这个公式的解剖结构

这个公式(3.14)非常重要,它不仅仅是一个计算结果,它是理解变换器效率的钥匙。

它由两部分组成(类比回收):

还记得上一节我们把变换器比作「直流变压器」吗? 那个变压器的变比是 1/D。在这里,它依然存在——这就是公式的前半部分 1D。这是理想的部分。

但是,这个变压器的后面挂了一个负载,这个负载不是真实的负载电阻 R,而是被寄生电阻 RL 修改过的等效负载。

看公式的后半部分:11+RLD2R。 这其实就是分压器公式(Voltage Divider)。

想象一下,输入电源 Vg 经过一个「理想变压器」变成了一个较高电压的源,但这个源的内阻也变大了(被变压器折算过去)。这个输出源现在要和一个电阻分压:

  • 一个电阻是 D2R(从输出端折算回来的等效负载电阻)
  • 另一个电阻是 RL(电感电阻)

RL 很小很小的时候,分母接近 1,我们得到的电压就是完美的 VgD。 但是,当 RL 不能忽略时,电压就会被拉下来。


真正的坑在这里——当 D 趋近于 1

在电压转换比的曲线里,有一个非常反直觉的现象,值得我们血压升高一下。

在理想模型里,当占空比 D1(也就是 D0)时,Boost 的输出电压应该趋向于无穷大。 这听起来很美好,但如果你真的去调板子,把占空比推到 99%,你不会得到无穷大的电压——你会得到零电压,甚至可能闻到烟味。

公式(3.14)解释了这个残酷的现实。 注意看 RLD2R 这一项。 当 D 很小的时候,分母是平方级减小,整个分数项 RLD2R 会爆炸式增长。

结果是什么?整个公式 11+huge 会趋向于 0。

为什么会这样? 回到物理场景。 当 D 接近 1 时,开关几乎一直闭合。电感几乎一直连在电源上,只有极短的时间(DTs)去给输出端放电。 就在这极短的时间里,电感电流 I 会变得非常大(为了维持伏秒平衡)。 电流 I 变大,流过 RL 的压降 IRL 就变得巨大。 大到什么程度?大到它几乎吃掉了所有的电源电压 Vg。 于是,输出端 V=VgIRL 就被压到了接近 0。

而且,因为 I 很大,I2RL 的损耗也是巨大的。你的电感在疯狂发热。

这告诉我们一个简单的工程真理: 不要试图通过把 D 调到 1 来获得无限高电压。 那是物理学家做的事,工程师不能那么干。你有损耗,你得尊重它。

踩坑提醒:Boost 推到 D1 时电压崩塌这件事,在很多datasheet 的「最大占空比」参数里都有体现——典型控制器会把 D 限制在 0.9 左右甚至更低。这看起来是芯片厂商「保守」,其实是被 RL/D2R 这一项逼的:再往上推,多出来的电压全变成铜线上的热,效率曲线直接垂直跳水。所以选 Boost 芯片时,先看最大占空比,再看你的目标升压比落在不在它的「健康区间」里。

这个结论非常重要,因为下一节我们把这个思路再推进一步——不只是电感有电阻,开关管也有电阻。那时候,这个分压模型会变得更加完善,也会更加真实。


参考说明:参考自 geqianQWQ 同学阅读《Fundamentals of Power Electronics》的笔记,仅作理解线索;本文为结合自己理解重新整理的学习笔记,不涉及对原书的复制或翻译。

面向嵌入式学习者的硬件学习笔记